制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TDFN-6

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:4.5 A

Rds On-漏源导通电阻:94 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:500 mV

Vgs - 栅极-源极电压:4.5 V

Qg-栅极电荷:5.2 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:6.5 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:Reel

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

下降时间:65 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:295 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:170 ns

典型接通延迟时间:29 ns